Компания IBM, в славной истории которой уже немало открытий, которые буквально переворачивали мир, готовит нам еще одну новинку. Планируется, что к 2016 году на рынке появится нового типа памяти, который вытеснит существующую на данный момент флэш-память. Новинка будет основываться на технологии «фазовых переходов» (PCM).
Память PCM основывается на уникальных свойствах специального материала - халькагенидного стекла. Оно способно менять физические состояния в зависимости от приложенного напряжения. Самое интересное в том, что одна ячейка такой памяти может запоминать не один бит информации, а два или в перспективе сразу три бита. Подобные возможности произведут целую революцию в области памяти.
На данном этапе работы ученые из компании IBM занимаются устранением недостатков технологии. Ранее ими были недостаточно большое количество циклов перезаписей и ненадежность сохранения одного из состояний, что приводило к ошибкам считывания.
В настоящее время PCM память достигла следующих показателей. По сравнению с флэш-памятью, новинка способна увеличить скорость записи и считывания данных в сто раз. При этом будет выдерживаться до 10 миллионов циклов перезаписи. По сравнению с флэш-памятью это в 10-30 раз больше. Так же PCM память будет энергонезависима.
Так же преимуществом разработки станет относительно невысокая цена, которая позволит использовать PCM память в широком спектре продуктов – от серверов до мобильных телефонов.
